home
Tecnika plazmowa
Słownictwo
FAQ
Urządzenia Plazmowe
Doradztwo/Serwis
Łącza/
przedstawicielstwa
Referencje
Targi
Kontakt
Dojazd
O nas
Pliki do pobrania
SŁOWNICTWO
[ UZYWANE W FIZYCE PLAZMY ]
Implantacja jonów
Implantacja jonów to metoda wprowadzania obcych atomów do materiału bazowego w celu zmodyfikowania właściwości tego materiału. Implantacja jonów jest stosowana głównie do regulowania właściwości elektrycznych elementów mikroelektronicznych w produkcji układów scalonych. Obce atomy są przy tym jonizowane, przyspieszane elektromagnetycznie i wstrzeliwane w podłoże, które z reguły stanowi krzem. Typowe domieszki to: bor, fosfor, arsen, ind, german, tlen, azot, węgiel. Implantację jonów charakteryzują dwa parametry: głębokość penetracji i gęstość domieszki (liczba obcych jonów na jednostkę objętości). Głębokość penetracji zależy od energii jonów, która może wynosić od 500 eV do 3 MeV. O gęstości domieszki decyduje dawka (liczba jonów na jednostkę powierzchni). Celem implantacji jonów jest zmiana przewodności, morfizacja struktury krystalicznej (np. w celu wyeliminowania efektów tunelowych), stworzenie bariery dyfuzji lub zmodyfikowanie powierzchni ze względu na późniejsze reakcje chemiczne. W trakcie implantacji obce atomy wchodzą między węzły sieci podłoża, powodując jej deformację. Dlatego po implantacji podłoże musi zostać zregenerowane. Odbywa się to w procesie wysokotemperaturowy, w którym obce atomy są wbudowywane i w konsekwencji aktywowane elektrycznie a struktura sieci jest przywracana. Implantacja jest dziś w przemyśle półprzewodnikowym dominującą metodą domieszkowania płytek krzemowych (dawniej dominowała dyfuzja).
home
|
Tecnika plazmowa
|
Słownictwo
|
FAQ
|
Urządzenia Plazmowe
|
Leasing maszyn
|
Obróbka uslugowa
|
Doradztwo/Serwis
|
Przedstawicielstwa
|
Referencje
|
Pliki do pobrania
|
Targi
|
Kontakt
|
Dojazd
|
O nas
|
Stopka redakcyjna
© 2009 Diener electronic GmbH + Co. KG
Webdesign Heindl Internet AG
